在高端半导体晶圆制造流程中，化学机械抛光即CMP工艺是实现晶圆全局平坦化的核心关键工序，行业普遍采用添加过氧化氢成分的抛光液完成晶圆表面研磨抛光作业。
过氧化氢在CMP制程中充当核心氧化剂，浓度数值直接决定晶圆氧化速率、材料去除效率与整片均匀性。浓度偏低会出现氧化不充分、材料去除速率下降、晶圆片内平整度变差等问题；浓度过高极易形成硬质致密氧化层，阻碍正常抛光作业，不仅拉低生产效率，还极易产生腐蚀坑、晶界侵蚀、表面机械损伤等不良缺陷，直接拉低晶圆成品良率。
与此同时，CMP设备运行过程中易出现过氧化氢挥发扩散问题，洁净室内气态过氧化氢浓度超标，会直接污染无尘车间生产环境，干扰光刻、镀膜、刻蚀等后段核心制程生产稳定性，因此制程液体浓度管控 车间环境气体监测缺一不可。
科尔诺GT-1000泵吸式过氧化氢检测仪，专为半导体晶圆厂CMP工序量身打造，可快速精准完成抛光液组分浓度筛查与洁净室环境气态过氧化氢浓度检测，助力半导体企业搭建标准化CMP工艺品质管控体系。
本仪器搭载进口高精密电化学专用传感器，检测低限可达0.1ppm，支持0-100ppm、0-500ppm多量程自由选配，整机检测精度≤±3%F.S，响应时长≤20秒，检测灵敏稳定。采用内置泵吸式主动采样结构，搭配食品级特氟龙低吸附采样管路，不会对待测气体、液体顶空气体造成二次污染，可轻松完成抛光液储槽、CMP机台排风口、晶圆作业区域多点位气体采样作业。
机身配置3.5英寸高清彩色显示屏，实时动态显示浓度变化曲线，工艺参数变化直观可视；搭载4000mAh大容量锂电池，连续续航时长可达24小时，满足洁净室全天不间断巡检需求。整机防护等级达IP67，机身表面光滑平整无死角，可使用无尘布直接擦拭清洁，完全契合半导体无尘车间使用规范。设备内置大容量存储模组，可稳定存储30800组专业检测数据，数据一键导出整理，快速生成标准化CMP工艺品质管控分析报告。
半导体CMP工艺五大核心应用场景
1. 抛光液过氧化氢浓度抽样检测
抽取现场在用抛光液样品，通过检测液体顶空气体过氧化氢浓度，精准换算液相内部有效成分含量。行业通用CMP抛光液过氧化氢常规浓度区间为0.1%-5%，对应气态浓度1000-50000ppm，GT-1000高量程机型可全面覆盖检测需求，数值偏离工艺标准即刻调整抛光液配比或更换全新料液。
2. CMP机台洁净室环境监测
针对设备操作工位、废气排风口、晶圆暂存洁净区开展常态化气体监测，车间环境安全管控标准为空气中过氧化氢浓度低于1ppm，一旦数值超标，代表设备密封性失效或是车间排风系统运行异常，第一时间停机排查整改。
3. 晶圆成品表面残留抽样检测
将完成CMP抛光工序的晶圆放置密闭检测盒内，检测盒内挥发气体浓度，精准判定晶圆表面过氧化氢残留量，核验后端清洗工序是否达到彻底除残标准。
4. 全新批次抛光液入库验收
新采购抛光液入库投产前，统一完成成分浓度检测核验，严格对标企业工艺规格书，从源头杜绝不合格原料流入生产线。
5. CMP后段清洗工艺效果验证
在晶圆清洗设备出料端定点检测残留气体浓度，彻底清除抛光液残留隐患，保障后续金属沉积、电路蚀刻等精密制程稳定开展。
标准化规范检测流程：各个监测点位持续稳定采样5分钟，仪器自动统计记录实时平均浓度与瞬时峰值浓度，依托历史检测数据完成工艺曲线复盘，方便半导体工艺工程师持续优化抛光参数、稳定生产良率。
设备支持选配PM2.5激光粉尘粒子检测模块，可同步监测CMP制程磨料粉尘颗粒物浓度，一站式管控洁净室气体环境与粉尘洁净度；自带传感器故障自诊断功能，实时预判传感元件运行状态，提前完成维保更换，保障长期检测精准度。
凭借超高检测灵敏度、无尘车间专用外观设计、完善的数据溯源管理能力，GT-1000现已成为国内各大晶圆制造企业CMP工序过氧化氢浓度管控首选专业检测设备。
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